SiC-Mosfets mit bis zu 35 Prozent geringeren Schaltverlusten
Mit der SCT3xxx xR-Serie bietet Rohm sechs neue SiC-Mosfets (650V/1200V) mit Trench-Gate-Struktur an. Die Bauelemente verfügen über ein TO-247-4L-Gehäuse mit vier Anschlüssen, das die Schaltleistung maximiert und die Schaltverluste gegenüber herkömmlichen Gehäusetypen mit drei Anschlüssen (TO-247N) um bis zu 35 Prozent reduziert.
Bild: Rohm Semiconductor GmbH
Die SCT3xxx xR-Serie besteht aus sechs Modellen, die eine Nennspannung von entweder 650 oder 1200V aufweisen. Die drei 650-V-Version bieten bei 25°C RDS(on)-Widerstände von 30, 60 oder 80 m, Nennströme von 70, 39 oder 30A sowie maximale Verlustleistungen PD von 262, 165 oder 134W. Die 1200-V-Varianten verfügen über RDS(on)-Widerstände von 40, 80, oder 105m, Nennströme von 55, 31 oder 24A sowie maximale Verlustleistungen PD von 262, 165 oder 134W. Die Bauelemente arbeiten im Temperaturbereich von -55 bis +175°C.
