3D-NAND-Flash-Speicherlösung
Kioxia präsentiert mit der fünften Generation des BiCS FlashTM eine neue 3D-NAND-Flash-Speicherlösung mit vertikal geschichteter 112-Layer-Struktur. Erste Muster mit einer Kapazität von 512GBit (64GB) und Triple-Level-Cell-Technologie werden für Spezialanwendungen voraussichtlich bereits in diesem Quartal zur Verfügung stehen. Mit der neuen Generation zielt Kioxia auf die ständig steigenden Anforderungen zahlreicher Anwendungsgebiete ab.
(Bild: Kioxia Europe GmbH)
In der Folge wird Kioxia die neue Prozesstechnologie der fünften Generation auch auf Speicherchips mit größerer Kapazität anwenden, beispielweise 1Tb-Triple-Level-Cell- und 1,33Tbit-Quadruple-Level-Cell-Chips. Kioxias innovative 112-Layer-Stapelprozesstechnologie wird mit fortschrittlicher Schalttechnik und Fertigungsprozesstechnologie kombiniert. Im Vergleich zum 96-Layer-Stapelprozess lässt sich dadurch die Speicherdichte um rund 20% erhöhen. Die neue Technologie reduziert die Kosten pro Bit und steigert die Speicherkapazität pro Silizium-Wafer. Darüber hinaus verbessert sie die Schnittstellengeschwindigkeit um 50%, bietet eine höhere Programmierleistung und verkürzt die Leselatenz.
