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80V n-Kanal-Leistungs-Mosfets

Toshiba stellt zwei neue 80V-n-Kanal-Leistungs-Mosfets auf Basis des U-MOSX-H-Prozesses vor. Beide Bausteine eignen sich für verschiedenste Stromversorgungsanwendungen bei denen ein verlustarmer Betrieb wichtig ist.

 (Bild: Toshiba Electronics Europe GmbH)

(Bild: Toshiba Electronics Europe GmbH)

Der TPH2R408QM und TPN19008QM sind 80V-U-MOSX-H-Bausteine, die im Vergleich zu entsprechenden 80V-Leistungs-Mosfets auf Basis früherer Prozesse, wie U-MOSVIII-H einen um 40% geringeren Durchlasswiderstand (DS(ON)) aufweisen. Folglich bietet der TPN19008QM einen DS(ON)-Wert von 19m (max.) und der TPH2R408QM einen Wert von nur 2,43m. Durch einen optimierten Aufbau wurde das Produkt aus DS(ON) und Gate-Ladung um bis zu 15% und das Produkt aus DS(ON) und Ausgangsladung um 31% verbessert. Zusammen mit dem verbesserten DS(ON) weisen die neuen Leistungs-Mosfets eine sehr niedrige Verlustleistung auf. Beide Bausteine werden in SMD-Gehäusen ausgeliefert und sind für eine Drain-Source-Spannung (UDSS) von 80V ausgelegt. Die maximale Kanaltemperatur beträgt 175°C.

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